Arrêté du 26 août 2004 fixant par groupe le taux de l'indemnité de résidence pour service à la représentation permanente de la France auprès de l'Organisation des Etats américains à Washington
Sur l'arrêté
| Entrée en vigueur : | 1 septembre 2004 |
|---|---|
| Dernière modification : | 1 septembre 2004 |
Le ministre d'Etat, ministre de l'économie, des finances et de l'industrie, et le ministre des affaires étrangères,
Vu le décret n° 67-290 du 28 mars 1967 modifié fixant les modalités de calcul des émoluments des personnels de l'Etat et des établissements publics de l'Etat à caractère administratif en service à l'étranger, et notamment les articles 2, 5, 8 et 11 ;
Vu l'arrêté du 28 mars 1967 modifié fixant les conditions d'application aux agents du ministère des affaires étrangères en service dans les missions diplomatiques et les postes consulaires du décret n° 67-290 du 28 mars 1967 modifié fixant les modalités de calcul des émoluments des personnels de l'Etat et des établissements publics de l'Etat à caractère administratif en service à l'étranger,
Arrêtent :
Le montant annuel du groupe 1 de l'indemnité de résidence servie à Etats-Unis (Washington-Organisation des Etats américains) est fixé à 77 055, 34 euros bruts au 1er septembre 2004. Les montants annuels des groupes 3 à 30 sont portés au niveau de ceux servis à Etats-Unis (Washington).
Le directeur général de l'administration au ministère des affaires étrangères et le directeur du budget au ministère de l'économie, des finances et de l'industrie sont chargés, chacun en ce qui le concerne, de l'exécution du présent arrêté, qui prendra effet à compter du 1er septembre 2004 et sera publié au Journal officiel de la République française.
Fait à Paris, le 26 août 2004.
Le ministre des affaires étrangères,
Pour le ministre et par délégation :
Le directeur général de l'administration,
P. Zeller
Le ministre d'Etat, ministre de l'économie,
des finances et de l'industrie,
Pour le ministre et par délégation :
Par empêchement du directeur du budget :
Le sous-directeur,
L. de Jekhowsky